SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Opis proizvoda
| Svojstvo proizvoda | Vrijednost atributa |
| Proizvođač: | Vishay |
| Kategorija proizvoda: | MOSFET |
| RoHS: | pojedinosti |
| Tehnologija: | Si |
| Stil montaže: | SMD/SMT |
| Paket/kovčeg: | PowerPAK-1212-8 |
| Polaritet tranzistora: | P-kanal |
| Broj kanala: | 1 kanal |
| Vds - probojni napon odvod-izvor: | 200 V |
| Id - Kontinuirana struja odvoda: | 3,8 A |
| Rds uključeno - otpor odvod-izvor: | 1,05 Ohma |
| Vgs - Napon vrata-izvora: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Napon praga izlaza-izvora: | 2 V |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Minimalna radna temperatura: | - 50 C |
| Maksimalna radna temperatura: | + 150 C |
| Pd - Rasipanje snage: | 52 W |
| Način rada kanala: | Poboljšanje |
| Trgovački naziv: | TrenchFET |
| Ambalaža: | Kolut |
| Ambalaža: | Cut Tape |
| Ambalaža: | MouseReel |
| Marka: | Vishay Semiconductors |
| Konfiguracija: | Singl |
| Jesensko vrijeme: | 12 ns |
| Prijenosna transkonduktivnost - Min.: | 4 S |
| Visina: | 1,04 mm |
| duljina: | 3,3 mm |
| Vrsta proizvoda: | MOSFET |
| Vrijeme porasta: | 11 ns |
| Niz: | SI7 |
| Tvornička količina pakiranja: | 3000 |
| Potkategorija: | MOSFET-ovi |
| Vrsta tranzistora: | 1 P-kanal |
| Tipično vrijeme odgode isključivanja: | 27 ns |
| Tipično vrijeme odgode uključivanja: | 9 ns |
| Širina: | 3,3 mm |
| Aliasi # dijela: | SI7119DN-GE3 |
| Težina jedinice: | 1 g |
• Bez halogena Prema IEC 61249-2-21 Dostupno
• TrenchFET® Power MOSFET
• Paket PowerPAK® niske toplinske otpornosti male veličine i niskog profila od 1,07 mm
• 100 % UIS i Rg testirano
• Aktivna stezaljka u srednjim DC/DC izvorima napajanja
